SI6968BEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI6968BEDQ-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.78 |
10+ | $0.685 |
100+ | $0.5255 |
500+ | $0.4154 |
1000+ | $0.3323 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-TSSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Leistung - max | 1W |
Verpackung / Gehäuse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.2A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Grundproduktnummer | SI6968 |
SI6968BEDQ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI6968BEDQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI6968DQ-T1-E3 VISHAY
SI6968ADQ-T1-GE3 V
SI6968BEDQ-T1 VISHAY
NA TSSOP-8
VISHAY TSSOP-8
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SI6968BDQ-T1-GE3 VISHAY
SI6968EDQ-T1 VISHAY
VBSEMI MSOP8
SI6968BEDQ-T1-GE3. VIS
SI6968DQ-T1-GE3 V
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VISHAY TSSOP
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
SI6968EDQ-T1-A-E3 VISHAY
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
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SI6968EADQ-T1-GE3 V
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI6968BEDQ-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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